Intel e Micron – Memorie flash NAND 5x

Intel e Micron hanno annunciato una nuova variante di memorie flash
NAND dalla velocità molto elevata
, capace di modificare il panorama dei
supporti di memoria. Utilizzando le nuove specifiche ONFI 2.0 (Open
NAND Flash Interface) combinate con una velocità di clock superiore e
celle a quattro livelli, questa nuova tecnologia è in grado di
raggiungere un transfer rate fino a cinque volte più rapido della
tecnologia convenzionale
.

Le normali memorie a singolo livello raggiungono nelle versioni più
veloci i 40 MB/s in lettura e i 20 MB/s in scrittura. Intel e Micron
spingeranno tali velocità rispettivamente a 200 MB/s e 100 MB/s,
eliminando una delle ultime pecche delle memorie flash nei confronti
degli hard disk tradizionali.
Intel ha affermato che questa tecnologia potrebbe avere una vastissima
applicazione. Ideale per i dischi a stato solido, sarà in grado di
spingere anche le performance dei dischi ibridi convenzionali fino a 2
o 4 volte.

Le due azieinde non hanno specificato quando le nuove memorie NAND
entreranno nella fase di produzione di massa, ma si ipotizza una loro
uscita nel corso dell'anno, con la possibilità di vederle impiegate in
prodotti commerciali entro la fine dell'anno.

Fonte: TGdaily.com.

 


 

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